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IGBT模块测试厂家在操作过程中应该注意什么
发布时间:2023/03/15 浏览量:51

      IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

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      由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此操作过程要注意以下几点:

1. 在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当要触摸模块端子时,要先 将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸;

2. 在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块;

3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。


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