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IGBT模块发热和效率低的解决方案
发布时间:2022/07/14 浏览量:524

      由于IGBT模块在IGBT变换器工作过程中会产生功率损耗,即内损耗,内损耗会引起发热和温升。IGBT温度与器件的内部损耗、芯片到环境的传热结构、材料和器件的冷却方式、环境温度有关。当产热和散热相等时,器件达到稳定的温升,处于平衡状态,即稳态。器件的芯片温度,无论是稳态还是瞬态,都不允许超过*器件的最高允许工作温度,即IGBT结温,否则会引起器件的电或热不稳定,导致器件失效。

IGBT模块发热和效率低的解决方案

      1.降低栅电阻可以加快开关器件的开关速度,降低开关损耗从而降低温度,但不能太小。需要具体调试。

      2.添加适当的阻容吸收电路。

      3.检查硅胶涂层,即散热器、风扇等。


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